- cmos latchup
- защелкивание КМОП-структуры
English-Russian dictionary of microelectronics. 2014.
cmos latchup
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Latchup — A latchup is the inadvertent creation of a low impedance path between the power supply rails of an electronic component, triggering a parasitic structure, which then acts as a short circuit, disrupting proper functioning of the part and possibly… … Wikipedia
Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
CMOS — For other uses, see CMOS (disambiguation). CMOS inverter (NOT logic gate) Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) ( … Wikipedia
latchup-free CMOS device — jungtinis nefiksuojamojo perjungimo MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. latchup free CMOS device vok. latchupfreier CMOS Baustein, m; latchupfreier komplementärer MOS Baustein, m rus. КМОП прибор без защёлкивания, m… … Radioelektronikos terminų žodynas
Single Event Latchup — Der Fachbegriff Latch Up (englisch Single Event Latch Up; abgekürzt SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen… … Deutsch Wikipedia
circuit CMOS sans capture — jungtinis nefiksuojamojo perjungimo MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. latchup free CMOS device vok. latchupfreier CMOS Baustein, m; latchupfreier komplementärer MOS Baustein, m rus. КМОП прибор без защёлкивания, m… … Radioelektronikos terminų žodynas
latchupfreier CMOS-Baustein — jungtinis nefiksuojamojo perjungimo MOP įtaisas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. latchup free CMOS device vok. latchupfreier CMOS Baustein, m; latchupfreier komplementärer MOS Baustein, m rus. КМОП прибор без защёлкивания, m… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary MOS latchup — jungtinio MOP darinio užsidarymas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS latchup vok. Lach up Effekt in komplementären MOS Strukturen, m; Thyristoreffekt in komplementären MOS Strukturen, m rus. защёлкивание КМОП… … Radioelektronikos terminų žodynas
capture de structure CMOS — jungtinio MOP darinio užsidarymas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS latchup vok. Lach up Effekt in komplementären MOS Strukturen, m; Thyristoreffekt in komplementären MOS Strukturen, m rus. защёлкивание КМОП… … Radioelektronikos terminų žodynas
Semiconductor device modeling — creates models for the behavior of the electrical devices based on fundamental physics, such as the doping profiles of the devices. It may also include the creation of compact models (such as the well known SPICE transistor models), which try to… … Wikipedia
Technology CAD — (or Technology Computer Aided Design, or TCAD) is a branch of electronic design automation that models semiconductor fabrication and semiconductor device operation. The modeling of the fabrication is termed Process TCAD, while the modeling of the … Wikipedia
